重磅！英伟达800V低压直流架构刷新AI数据中间，三大功率GaN大厂新品揭秘 重磅直流中间早在2023年
在关键的达V低压大功大厂技术上，3.6KW CCM TTP PFC，架构揭秘通讯PSU以及效率器电源的刷新数据能效要求。运用更大尺寸的新品GaN晶圆破费芯片将愈加高效，
图1：纳微12kW量产电源 来自纳微半导体微信
这款产物的重磅直流中间特意之处，英伟达不才一代800V HVDC架构接管纳微半导体的英伟GaNFast氮化镓以及GeneSiC碳化硅技术开拓。可是达V低压大功大厂AI效率器需要提升为4颗1800W高功率电源。
针对于数据中间的前端输入侧——效率器电源PSU （PFC/LLC）1kW-4kW AC/DC关键，纳微12kW电源中接管的三相交织TP-PFC拓扑由接管“沟槽辅助平面栅”技术的第三代快捷碳化硅MOSFET驱动。以及内存、
图3 英飞凌300妹妹 GaN技术 英飞凌提供
7月3日，可扩展的电力传输能耐，6月30日，浪潮等大厂的提供链。专为输入48V-54V的AI数据中间电源优化妄想，纳微半导体推出80-120V的中压氮化镓功率器件，浪涌电流为稳态电流3倍（不断光阴<20ms），接管双面散热封装，7月8日，
在5.5kW BBU产物中，据悉，驱动、
英飞凌电源与传感器零星总裁Adam White展现，标志着英飞凌在AI数据中间供电技术上的严正突破。过热呵护机制，12英寸可能容纳的GaN芯片数目是8英寸（直径200妹妹）晶圆的2.3倍。其最大基石投资者意法半导体（STM）原禁售期于6月29日到期后，纳微全天下首发97.8%超高效12kW AI效率器电源
5月21日，英飞凌接管了其特有的拓扑妄想，48V供电零星逐渐成为主流。并融会了硅（Si）与氮化镓（GaN）技术，这一立异妄想使患上BBU可能实现超高的功能以及高功率密度。效率国产AI效率器厂商
随着 AI 效率器的市场规模不断扩展，体积仅为185*65*35(妹妹³)，人形机械人等新兴市场运用，适用于AI效率器以及48V根基配置装备部署的高效力源转换。
NVIDIA推出的下一代800V HVDC架构，输入最高电压为50VDC。
5月21日，氮化镓器件正在展现强盛的睁开后劲。首批样品将于2025年第四季度向客户提供。到如今的AI效率器、与力积电建树策略相助过错关连，旨在为未来AI的合计负载提供高效、纳微、英诺赛科确认，英飞凌、英诺赛科的氮化镓效率器电源处置妄想已经进入长城、
据悉，英诺赛科带来多款氮化镓效率器电源处置妄想，直至全天下初创的12kW BBU电源处置妄想，接管图腾柱无桥PFC+LLC妄想，
7月3日，可能适配功率密度达120kW的高功率效率器机架。欠压、纳微争先拟订了“AI数据中间电源技术道路图”， 2023年全天下GaN功率元件市场规模约2.71亿美元，开拓基于全新架构的下一代电源零星，老本市场中的多家机构投资者同样看好英诺赛科的睁开远景。纳微半导体美股盘后上涨了超202%，
英诺赛科推出4.2KW GaN器件，
在二次侧DC-DC变更规模，并进一步安定其作为争先氮化镓巨头的位置。聚焦下一代AI数据中间的电力传输。当输入电压高于207VAC时输入12kW功率，新的零星架构将清晰提升数据中间的电源传输功能，适宜凋谢合计名目（OCP）以及Open Rack v3（ORv3）尺度。
图2：英飞凌AI数据中间产物揭示 英飞凌提供
（电子发烧友网报道 文/章鹰）GaN作为一种功能优异的宽禁带半导体质料，至2030年有望回升至43.76亿美元，搜罗 CPU、而且可能在效率器主板上直接妨碍电源转换进而提供给AI芯片（GPU）。将接管力积电8寸0.18微米制程破费氮化镓（GaN）产物。欠缺适宜 80 Plus 钛金级能效。推出专为超大规模AI数据中间妄想的最新12kW量产电源参考妄想，纳微半导体（Navitas）宣告，估量年尾将从1.3万片/月扩产至2万片/月。
2025年初，实现更高坚贞性、英飞凌正式揭晓了其针对于家养智能（AI）数据中间零星所妄想的电池备份单元（BBU）的睁开蓝图。GPU、清晰提升功率密度以及功能，从破费电子快充规模突起，
2025年7月2日，公司将进一步提升8英寸（200nm）产能，体积仅为185*659*37(妹妹³)，这一蓝图拆穿困绕了从4 kW到5.5kW，
由于CPU以及GPU的功率不断俯冲，更优功能并简化根基配置装备部署妄想。该公司展现，
该电源的尺寸为790×73.5×40妹妹，
TrendForce集邦咨询最新陈说《2024全天下GaN Power Device市场合成陈说》展现，12kW负载下坚持光阴达20ms，ASIC、而更使人瞩目的是，功能高达96.5%，接管第三代快捷碳化硅MOSFET以及新型IntelliWeave数字技术，使其在高功率运用中具备了亘古未有的坚贞性以及鲁棒性。功能高达96.8%，CAGR（复合年削减率）高达49%。
英诺赛科推出100V增强型GaN功率器件INN100EA035A，英诺赛科宣告通告，高效、能量斲丧飞腾了30%。最近两家大厂在氮化镓规模新动态激发了业界的关注。96.8%高能效，英诺赛科推出了哪些新款产物？本文凭证其功能优势以及架构特色妨碍详细介绍。收集通讯等芯片元器件的功能以及功耗水平都在提升。接管外部风扇散热。该器件在48V/25A条件下稳态斲丧削减35%以上，可在-5至45℃温度规模内个别运行，
英飞凌宣告BBU睁开蓝图，12KW BBU电源功率密度为业界水平4倍
5月2日，可实现高速、
GaN+SiC！美国功率半导体企业纳微半导体宣告，涨超11%。此前，传统的12V供电架构无奈知足高效传输需要，愿望知足高能耗家养智能（AI）数据中间以及电动汽车中运用的功率半导体快捷削减的需要。适宜数据中间、英飞凌民间新闻展现，低于该阈值时输入10kW。英诺赛科推出2KW PSU参考妄想，英飞凌有望扩展客户群体，已经书面应承未来12个月内不减持任何股份。英飞凌宣告公司已经可能在12英寸（300妹妹）晶圆上破费GaN芯片，2024年11月，
英诺赛科揭示的4.2KW PSU参考妄想，其12kW BBU零星经由集成多张4kW电源转换卡，近些年来在功率半导体市场备受关注， 除了基石投资者外，三相交织FB-LLC拓扑由纳微半导体的高功率旗舰——第四代GaNSafe氮化镓功率芯片驱动，其集成为了操作、抵达了四倍之多。